內(nèi)容摘要: 三星電子Foundry代工部門高級(jí)研究員樸炳宰本周四在“2022年半導(dǎo)體EUV全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。 他表示,到2026年,全球3納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到242億美元規(guī)模,較今年的1
杭州同城上門外圍上門外圍女(微信156-8194-*7106)提供頂級(jí)外圍女上門,可滿足你的一切要求 三星電子Foundry代工部門高級(jí)研究員樸炳宰本周四在“2022年半導(dǎo)體EUV全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。工市
他表示,場(chǎng)年到2026年,將達(dá)
杭州同城上門外圍上門外圍女(微信156-8194-*7106)提供頂級(jí)外圍女上門,可滿足你的一切要求全球3納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到242億美元規(guī)模,億美元規(guī)較今年的工市12億美元增長(zhǎng)將超20倍。
目前,場(chǎng)年三星電子是將達(dá)唯一一家宣布成功量產(chǎn)3納米芯片的公司,隨著三星電子、億美元規(guī)臺(tái)積電、工市
杭州同城上門外圍上門外圍女(微信156-8194-*7106)提供頂級(jí)外圍女上門,可滿足你的一切要求英特爾等半導(dǎo)體大廠開(kāi)始引進(jìn)EUV設(shè)備,場(chǎng)年工藝技術(shù)不斷發(fā)展,將達(dá)預(yù)計(jì)3納米工藝將成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn)。億美元規(guī)
根據(jù)Gartner數(shù)據(jù),工市截至今年年底,場(chǎng)年在晶圓代工市場(chǎng)中占據(jù)最大份額的將達(dá)是5納米和7納米工藝,市場(chǎng)規(guī)模369億美元,未來(lái)其份額將逐步由3納米所取代。他表示,“隨著14納米FinFET工藝的推出,三星電子已經(jīng)上升到代工市場(chǎng)的第二位?!?br>
據(jù)稱,3納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能,率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3nm工藝的三星使用了環(huán)柵(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)的MBCFET技術(shù),較FinFET性能功耗有明顯改善。
“就FinFET而言,性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高,但功耗的增加超出了性能的提高幅度”,他表示,“另一方面,MBCFET的效率要高得多,因?yàn)樗鼈冊(cè)谙嗨频乃缴咸岣吡诵阅芎凸β?。?br>
具體來(lái)說(shuō),在FinFET技術(shù)中性能提升1.3倍但功耗也會(huì)隨著上漲2.2倍,而在MBCFET中,性能提高1.7倍時(shí),功耗只會(huì)增加1.6倍,相對(duì)來(lái)說(shuō)效率更高。
