導(dǎo)讀:據(jù)外媒報(bào)道,星擬芯片三星電子公司擬將在中國(guó)芯片工廠(chǎng)的將中投資增加到80億美元,以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。國(guó)芯寧波外圍(外圍上門(mén))外圍女預(yù)約(微信156-8194-*7106)一二線(xiàn)城市快速預(yù)約,30分鐘可以到達(dá)

12月13日消息,片工據(jù)外媒報(bào)道,廠(chǎng)投產(chǎn)量三星電子公司擬將在中國(guó)芯片工廠(chǎng)的資增至億投資增加到80億美元,以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。美元
三星增加投資正值內(nèi)存芯片價(jià)格有望于明年反彈之際,提高由于供應(yīng)有限,星擬芯片市場(chǎng)對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的將中寧波外圍(外圍上門(mén))外圍女預(yù)約(微信156-8194-*7106)一二線(xiàn)城市快速預(yù)約,30分鐘可以到達(dá)需求也在不斷上升。三星是國(guó)芯全球最大的NAND閃存芯片制造商,這類(lèi)芯片可以可用于移動(dòng)設(shè)備、片工存儲(chǔ)卡、廠(chǎng)投產(chǎn)量U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)中。資增至億
2017年,美元三星宣布將在三年內(nèi)向位于西安的NAND閃存芯片工廠(chǎng)投資70億美元。在這些投資進(jìn)行之前,該公司曾向西安的一家測(cè)試和包裝工廠(chǎng)投資108億美元。三星對(duì)此拒絕置評(píng)。
三星在NAND閃存領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括韓國(guó)SK海力士(SK Hynix)和美國(guó)美光科技(Micron Technology)以及日本東芝,幾家中國(guó)企業(yè)也正試圖進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域,但它們至今尚未取得太大成功,還不足以與這些巨頭競(jìng)爭(zhēng)。
今年秋季,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布,將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)64層3D NAND芯片,這是多數(shù)領(lǐng)先行業(yè)企業(yè)遵循的基準(zhǔn)。