2 月 5 日消息，星將芯片據(jù)報道，發(fā)布翻倍三星將在即將到來的超高深圳美女包養(yǎng)（電話微信156-8194-*7106）提供頂級外圍女上門，可滿足你的一切要求 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。



　　除了之前公布的速G省電 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。內(nèi)存這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開發(fā)，容量在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的且更容量。

　　雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會上發(fā)布的星將芯片 DDR5 芯片的信息，但我們知道，發(fā)布翻倍這款 DDR5 的超高深圳美女包養(yǎng)（電話微信156-8194-*7106）提供頂級外圍女上門，可滿足你的一切要求 I / O 速度高達每個引腳 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 級晶圓代工節(jié)點的速G省電 Symmetric-Mosaic 架構(gòu)設(shè)計，專門針對 DRAM 產(chǎn)品量身定制。內(nèi)存

　　據(jù)悉，容量三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 產(chǎn)品時表示：“憑借我們的且更 12nm 級 32Gb DRAM，我們已經(jīng)獲得了一種解決方案，星將芯片可以實現(xiàn)高達 1TB (TB) 的 DRAM 模塊，使我們能夠理想地滿足人工智能 (AI) 和大數(shù)據(jù)時代對高容量 DRAM 的日益增長的需求。我們將繼續(xù)通過差異化的工藝和設(shè)計技術(shù)開發(fā) DRAM 解決方案，突破內(nèi)存技術(shù)的極限。”

　　之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要硅通孔 (TSV) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產(chǎn) 128GB 模塊，三星表示這將使功耗降低約 10%。對于目前正在與人工智能不斷增長的能源需求作斗爭的數(shù)據(jù)中心來說，這是一個受歡迎的解決方案。

　　三星最新的 DDR5 技術(shù)允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創(chuàng)建 32 GB 和 48 GB DIMM，還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。