發(fā)布時間:2025-11-24 23:29:08 來源:骨軟筋酥網(wǎng) 作者:時尚
SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 內(nèi)存的海力劃明增強版:HBM3E,將數(shù)據(jù)傳輸速率提升 25%,士計升為人工智能和高性能計算提供助力。年推E內(nèi)貴陽包養(yǎng)外圍上門外圍女上門外圍上門外圍女(電話微信180-4582-8235)提供1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達
HBM3E 內(nèi)存主要面向的出H存帶商用領(lǐng)域,SK 海力士將其數(shù)據(jù)傳輸速率從 6.4GT/s 提升到 8.0GT/s,點網(wǎng)這可以將帶寬提升從 819.2GB/s 提升到 1TB/s,海力劃明更快的士計升傳輸速率有助于提升高性能計算領(lǐng)域的性能,縮短時間。年推E內(nèi)
當下 AI 熱潮讓 GPU 加速卡的出H存帶內(nèi)存不斷提升,AI 模型訓(xùn)練時需要大量內(nèi)存,點網(wǎng)貴陽包養(yǎng)外圍上門外圍女上門外圍上門外圍女(電話微信180-4582-8235)提供1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達理論上說內(nèi)存容量越大、海力劃明速度越快越好,士計升這讓 SK 海力士有動力快速開發(fā)性能更好的年推E內(nèi)技術(shù)。

技術(shù)細節(jié)方面,出H存帶HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 節(jié)點),點網(wǎng)1b 制程已經(jīng)被 SK 海力士用于生產(chǎn)適用于英特爾至強可擴展平臺的 DDR5-6400 內(nèi)存,因此投產(chǎn) HBM3E 內(nèi)存對 SK 海力士來說應(yīng)該不是難事。
SK 海力士稱隨著內(nèi)存市場將在下半年開始復(fù)蘇的預(yù)期越來越高,該公司相信他們領(lǐng)先的 DRAM 技術(shù)將幫助公司提高下半年的盈利。
根據(jù) SK 海力士說明,HBM3E 內(nèi)存將在 2024 年上市,那下半年應(yīng)該就會試產(chǎn),到年末開始量產(chǎn)并準備出貨。
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